技术参数 基底温度范围:高大800℃；主要特点 1,专业ALD设备制造商,提供专业的用于科研或研发级的ALD/PEALD设备及工艺； 2,可以选择横流式沉积模式、或top flow (showerhead喷淋花伞) 沉积模式或等离子体增强沉积模式； 3,提供2英寸~12英寸全套专业的原子层沉积系统方案； 4,Loadlock Chamber可快速加载卸载样品；仪器介绍 全球***专业的原子层沉积系统ALD制造商，十多年来一直致力于ALD核心技术的研发，迄今拥有数十项注册专利在ALD的设计和薄膜制备工艺方面，并长期与全球***的高校、研究所以及半导体、微电子领域的制造商合作； 原子层沉积技术可沉积材料： 氧化物: Al2O3, ZrO2, HfO2, Ta2O5, SnO2, RuO2, ZnO, SrTiO3等 氮化物: TiN, NbN, TaN, Ta3N5, MoN, WN, TiSiN, SiN等  单一物质: Si, Ge, Cu, Mo, W, Ta, Ru等  半导体材料: GaAs, Si, InAs, InP, GaP, InGaP等 原子层沉积系统可以广泛应用于: 半导体领域：晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层（阻止掺杂剂的迁移），有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光(TFEL)元件，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属（MIM）电容器涂层。 纳米技术领域：中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和憎水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。